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第四届深圳国际半导体展12月8深圳举办

2021-10-13 19:12:47    来源:财讯网

第三代半导体材料的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的3倍,在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。

氮化镓GaN已在消费电子率先突破,中高压领域或后来居上:采用GaN-on-Si的功率器件工作电压在1000V以下,成本在1美金左右。氮化镓GaN功率器件在低压领域(0-900V)率先商用,替代传统的硅基功率器件。更有实验室宣布最新工作电压可达1200V的硅基GaN外延片,如若该技术商业化顺利,1000V以上中高压领域,硅基GaN也有可能获得一部分市场份额。

新能源汽车为碳化硅SiC的最重要应用领域,如主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机和充电桩等。相较于硅基IGBT,碳化硅SiC MOSFET电动车的续航里程更长。EPA城市路况下,碳化硅SiC MOSFET相较于硅基IGBT,将节省77%的能量损耗。EPA高速路况下,碳化硅SiC MOSFET相较于硅基IGBT,节省85%的能量损耗。能耗节省直观增加车辆续航里程,使用碳化硅SiC MOSFET的电动车比使用硅基IGBT电动车将增加5-10%的续航里程。

目前我国厂商已布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节,包括难度最大的衬底长晶环节,自动化程度较高的外延环节和应用于下游市场的器件环节。整体来看我国第三代半导体全产业链自主可控能力较强。

氮化镓GaN单晶生长困难问题有何良策?

氮化镓GaN何时可提升其射频市场的渗透率?

碳化硅良率提升问题如何解决?  .......

更多您关心的第三代半导体尽在12月9日深圳国际会展中心(宝安新馆) “第三代半导体产业发展高峰论坛”。同期12月8-10日第四届深圳国际半导体展览会举办,600多家全产业链企业参展;

汇聚第三代半导体产业技术创新战略联盟 、上海微电子装备集团、氮矽科技、 基本半导体、 英嘉通半导体 、英诺赛科、 聚能创芯 & 聚能晶源、 森国科 比亚迪半导体、 中芯国际;江波龙;思谋科技;华清环保;鼎捷软件;联想;镁伽科技;航顺半导体等行业行业大咖诠释产业机遇。

更多详情联系:Bella YU  13560761732  [email protected]

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