射频器件是无线通信的核心部件，包括射频开关、LNA、功率放大器和滤波器等。其中功率放大器是对信号进行放大的器件，直接影响着基站信号传输距离及信号质量。硅基 LDMOS 器件已经应用多年，但主要应用于 4GHz 以下的低频领域。
5G 通讯高频、高速和高功率的特点对功率放大器性能也提出了更高的要求，碳化硅基氮化镓具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，成为 5G 移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心射频器件，有望替代硅基 LDMOS。根据 Yole 的预测，2025 年功率在 3W 以上的射频器件中，砷化镓器件市场份额保持不变，碳化硅基氮化镓将替代大部分硅基 LDMOS，占市场 50% 左右的份额。
根据 Yole 的报告，预计全球氮化镓射频器件市场规模将持续增长，预计从 2019 年的 7.4 亿美元增长至 2025 年的 20 亿美元，年化复合增速达 18%。半绝缘型碳化硅衬底需求有望受益。
