明年的高通骁龙、海思麒麟、三星猎户座、联发科天玑四大厂商的的主力旗舰芯片和中端芯片全员将采用 1+3+4 架构设计。
高通方面，此前已有大量爆料显示该芯片将采用 “1+3+4”八核心设计，具体为1 个 2.84GHz 超大核心Cortex X1、 3 个 2.42GHz 的 A78 内核，以及 4 个 1.8GHz 的 A55 内核。而通过此前泄露的跑分测试来看，骁龙 875 的测试成绩仍将保持安卓 SoC 第一梯队性能。骁龙 885 方面尚未有爆料信息，该博主所指较大可能为骁龙 875，该芯片有望于 12 月 1 日或 2 日正式发布，届时IT之家将带来更多报道。
海思方面，虽然不清楚之后的排期和命名等信息，但海思方面极大可能仍将迭代推出新的麒麟芯片，例如麒麟 10000，成品制造方面先不考虑，架构设计方面应该也将会是第一梯队水平。
三星方面，此前多次爆料的Exynos 2100 性能表明该芯片不一定输其他同期产品。虽然之前多数爆料偏向于骁龙 875 是这一代唯一的采用 ARM Cortex-X1 内核的产品，但后来有可靠爆料者表示 Exynos 2100 也将采用 ARM Cortex-X1 架构。此外，E2100 也将配备具有 14 个图形内核的 ARM Mali-G78 GPU，性能值得期待。
联发科方面，天玑 1000 系列续作仍没有消息传出，但无论怎样更迭，天玑 1000 系列性能和基带在目前业界的水准依然是顶流，因此只要联发科方面按部就班的迭代更新，性能方面自然会有更值得期待的看点。
